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  师资简介

Osamu Goto

职       务:研究员、博导

最高学历:日本北海道大学博士

邮       箱:ogoto@pkusz.edu.cn

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      日本北海道大学电子工程学士(1989),北海道大学电子工程硕士(1991),北海道大学电子工程博士(1994),美国斯坦福大学化学工程系访问学者。曾在索尼、冲电气工业有限公司等国际知名企业担任高级经理、研发主管、研发工程师等岗位。目前已有专利67项,多次获索尼公司各项发明成果奖励。

研究领域:
1.   晶体生长

l  有机半导体单晶薄膜生长专家
l  III-N和III-V化合物半导体金属有机气相沉积专家
l  掌握并具有生长氮化镓、砷化镓以及磷化铟经验
l  设计和开发用于研究或商业化的金属有机气相沉积设备
l  掌握多种生长单晶材料的原则和机理
 
2.   分析
l  掌握XRD、原子力显微镜、荧光光谱、扫描电镜、AES、DLTS以及赫尔效应测试。
l  能熟练分析透射电镜、二次离子质谱以及X射线光电子谱
 
3.   器件制备
l  设计III-N激光二极管
l  利用CAD设计用于光刻的玻璃掩膜
l  能利用多种真空设备制备III-N和III-V化合物半导体的激光二极管
 
4.   测试
l  掌握多种光学和电学器件的性质
l  利用多种测试系统测试激光二极管和长效ing晶体管的性质