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  实验室及项目
原子层沉积技术实验室
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实验室主要研究方向
   (1)ALD前驱体的设计、合成及其产业化;
   (2)ALD薄膜材料的制备及其应用;
   (3)ALD装备的开发及产业化。       
 
    实验室将致力于设计并合成满足ALD生长条件的金属化合物,开发制备具有优良性能薄膜材料的工艺,并应用在高性能的功能器件上。研究化合物结构与薄膜材料ALD生长的机理关系,表征薄膜材料性能,改进薄膜组分、尺度与器件性能。实验室在立足于应用基础和理论研究的同时,将结合新材料学院的发展战略,重点面向新型半导体high-k材料、锂电池材料和绿色能源材料的开发。


ALD原理图




通过SiO2层制备更高效的染料敏化太阳能电池



Wang X et al., J. Am. Chem. Soc. (2012), 134, 9537
通过钪前驱体原子层沉积Sc2O3(潜在的高介电常数材料)举例



 
联系人:王新炜 特聘研究员
Email:wangxw@pkusz.edu.cn