原子层沉积（ALD）技术是一种先进的薄膜制备技术，其特点在于能够在原子尺度上实现对薄膜成分厚度的精确控制。新材料学院原子层沉积课题组在王新炜特聘研究员的带领下，长期致力于ALD方法学方面的研究，开发新型材料的ALD工艺，如硫化钴（Nano Letters (2015) 15, 6689）、硫化镍（Chemistry of Materials (2016) 28, 1155）等等，为新材料学院在锂电池、有机光电等方面的研究提供重要的技术支持与储备。

       近日，为了解决有机电子器件电荷注入效率低的普遍性问题，该课题组针对有机材料的特殊性，开发了一种温和的低温ALD工艺，可以在接近室温（50摄氏度）实现氧化钒电荷注入薄膜层的ALD可控制备，从而在避免损伤有机材料的同时，显著降低金属与有机层间的接触电阻。

       该工作于近期发表在了《先进功能材料（Advanced Functional Materials）》上，并被选为当期的内封底文章。该论文的第一作者是新材料学院2014级硕士生高源鸿，通讯作者是王新炜特聘研究员，合作作者包括孟鸿教授等。

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Yuanhong Gao, Youdong Shao, Lijia Yan, Hao Li, Yantao Su, Hong Meng, Xinwei Wang*, “Efficient Charge Injection in Organic Field-Effect Transistors Enabled by Low-Temperature Atomic Layer Deposition of Ultrathin VO_x Interlayer”, Advanced Functional Materials 26, 4456 (2016). DOI: 10.1002/adfm.201600482 (Inside Back Cover, DOI: 10.1002/adfm.201670160)