原子层沉积（ALD）技术是一种先进的薄膜制备技术，其特点在于能够在原子尺度上实现对薄膜成分的精确控制。新材料学院原子层沉积课题组在王新炜特聘研究员的带领下，一直致力于ALD方法学方面的研究，主要包括开发新型材料的ALD工艺，研究ALD过程的机理等，并致力于将所开发的先进技术方法应用于新材料学院的清洁能源材料与器件、有机光电等大方向的研究上，为这些方向的快速发展提供先进的技术支持与储备。
近日，原子层沉积课题组在新型ALD方法的开发方面取得了重要的进展。以2014级直博生李豪与2014级硕士生高源鸿为共同第一完成人，该课题组开发了一种新型ALD工艺方法，用以制备高质量的硫化钴薄膜，并展示了其优良的电化学性能。该工作发表在了影响因子为13.592的《纳米快报（Nano Letters）》上。
此外，该课题组还与北京印刷学院等离体物理与材料研究室合作，共同开发了一种低温原子层沉积工艺，用以制备高质量的金属铜薄膜。该工作发表了影响因子为8.354的《材料化学（Chemistry of Materials）》上。2014级直博生李豪该论文的为共同一作，深研院为共同通讯单位。
相关链接：
Hao Li,# Yuanhong Gao,# Youdong Shao, Yantao Su, Xinwei Wang,* “Vapor-Phase Atomic Layer Deposition of Co9S8 and Its Application for Supercapacitors”, Nano Letters, ASAP (2015). (#Equal contribution) DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02508
文章下载：pdf
Zheng Guo,# Hao Li,# Qiang Chen, Lijun Sang, Lizhen Yang, Zhongwei Liu,* Xinwei Wang,* “Low-Temperature Atomic Layer Deposition of High Purity, Smooth, Low Resistivity Copper Films by Using Amidinate Precursor and Hydrogen Plasma”, Chemistry of Materials 27, 5988 (2015). (#Equal contribution) DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b02137
文章下载：.pdf
